3SK263-5-TG-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	3SK263-5-TG-E
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	FET RF 15V 200MHZ CP4
Livret des spécifications:	3SK263-5-TG-E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3307 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3307 pcs

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Spécifications de 3SK263-5-TG-E

Modèle de produit	3SK263-5-TG-E	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	FET RF 15V 200MHZ CP4	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3307 pcs	Fiche technique	3SK263-5-TG-E.pdf
Tension - Test	6V	Tension - Nominale	15V
Transistor Type	N-Channel Dual Gate	Package composant fournisseur	4-CP
Séries	-	Alimentation - sortie	-
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-253-4, TO-253AA
Autres noms	3SK263-5-TG-E-ND 3SK263-5-TG-EOSTR	Noise Figure	2.2dB
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Gain	21dB	La fréquence	200MHz
Description détaillée	RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP	Note actuelle	30mA
Courant - Test	10mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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