5HN01M-TL-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	5HN01M-TL-E
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
Livret des spécifications:	5HN01M-TL-E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4097 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4097 pcs

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Spécifications de 5HN01M-TL-E

Modèle de produit	5HN01M-TL-E	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4097 pcs	Fiche technique	5HN01M-TL-E.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	3-MCP
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	150mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-70, SOT-323	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6.2pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	50V	Description détaillée	N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
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