BD681S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BD681S
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126
Livret des spécifications:	1.BD681S.pdf 2.BD681S.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	150124 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 150124 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.221

10 pcs: $0.196

100 pcs: $0.15

500 pcs: $0.119

1000 pcs: $0.095

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Spécifications de BD681S

Modèle de produit	BD681S	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	150124 pcs	Fiche technique	1.BD681S.pdf 2.BD681S.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	100V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	TO-126
Séries	-	Puissance - Max	40W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-225AA, TO-126-3
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	-	Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-126
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	4A	Numéro de pièce de base	BD681

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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