BS107G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BS107G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Livret des spécifications:	BS107G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4872 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4872 pcs

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Spécifications de BS107G

Modèle de produit	BS107G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4872 pcs	Fiche technique	BS107G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	350mW (Ta)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Autres noms	BS107G-ND BS107GOS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	200V	Description détaillée	N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	250mA (Ta)

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Après vente
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