BU806

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BU806
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220
Livret des spécifications:	1.BU806.pdf 2.BU806.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5451 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5451 pcs

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Spécifications de BU806

Modèle de produit	BU806	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5451 pcs	Fiche technique	1.BU806.pdf 2.BU806.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	200V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 50mA, 5A
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	-	Puissance - Max	60W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-220-3
Autres noms	BU806-ND BU806FS	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 200V 8A 60W Through Hole TO-220	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	8A
Numéro de pièce de base	BU806

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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