BUB323ZT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BUB323ZT4G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Livret des spécifications:	BUB323ZT4G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	66967 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66967 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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1600 pcs: $0.418

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Spécifications de BUB323ZT4G

Modèle de produit	BUB323ZT4G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	66967 pcs	Fiche technique	BUB323ZT4G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	350V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.7V @ 250mA, 10A
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	-	Puissance - Max	150W
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms	BUB323ZT4GOS BUB323ZT4GOS-ND BUB323ZT4GOSTR	Température de fonctionnement	-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	2MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	500 @ 5A, 4.6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	10A
Numéro de pièce de base	BUB323

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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