BVSS138LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BVSS138LT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
Livret des spécifications:	BVSS138LT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	224651 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 224651 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.151

10 pcs: $0.137

100 pcs: $0.077

500 pcs: $0.041

1000 pcs: $0.028

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Spécifications de BVSS138LT1G

Modèle de produit	BVSS138LT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	224651 pcs	Fiche technique	BVSS138LT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-23-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Dissipation de puissance (max)	225mW (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	BVSS138LT1GOSCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V
Tension drain-source (Vdss)	50V	Description détaillée	N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	200mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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