BYW80-200G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BYW80-200G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
Livret des spécifications:	BYW80-200G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	111534 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 111534 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.32

50 pcs: $0.263

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500 pcs: $0.17

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Spécifications de BYW80-200G

Modèle de produit	BYW80-200G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	111534 pcs	Fiche technique	BYW80-200G.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.25V @ 22A	Tension - inverse (Vr) (max)	200V
Package composant fournisseur	TO-220-2	La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries	SWITCHMODE™	Temps de recouvrement inverse (trr)	35ns
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-220-2
Autres noms	BYW80-200G-ND BYW80-200GOS BYW80200G	Température d'utilisation - Jonction	-65°C ~ 175°C
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Standard
Description détaillée	Diode Standard 200V 8A Through Hole TO-220-2	Courant - fuite, inverse à Vr	10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	8A	Capacité à Vr, F	-
Numéro de pièce de base	BYW80-200

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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