DBD10G-TM-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DBD10G-TM-E
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD
Livret des spécifications:	DBD10G-TM-E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6226 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6226 pcs

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Spécifications de DBD10G-TM-E

Modèle de produit	DBD10G-TM-E	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6226 pcs	Fiche technique	DBD10G-TM-E.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	600V	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.05V @ 500mA
La technologie	Standard	Package composant fournisseur	-
Séries	-	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	4-SMD, Gull Wing	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Single Phase
Description détaillée	Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Surface Mount	Courant - fuite, inverse à Vr	10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	1A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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