DSE010-TR-E

ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DSE010-TR-E
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE GEN PURP 80V 100MA
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3799 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3799 pcs

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Spécifications de DSE010-TR-E

Modèle de produit	DSE010-TR-E	Fabricant	ON Semiconductor
La description	DIODE GEN PURP 80V 100MA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3799 pcs	Fiche technique
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	100mA
Séries	-	État RoHS	Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Résistance @ Si, F	3pF @ 0.5V, 1MHz
Polarisation	-	Température d'utilisation - Jonction	4ns
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	DSE010-TR-E
Description élargie	Diode Standard 80V 100mA	Configuration diode	500nA @ 80V
La description	DIODE GEN PURP 80V 100MA	Courant - fuite, inverse à Vr	1.2V @ 100mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	80V	Capacité à Vr, F	-55°C ~ 125°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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