EC3H02BA-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EC3H02BA-TL-H
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3
Livret des spécifications:	EC3H02BA-TL-H.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3534 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3534 pcs

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Spécifications de EC3H02BA-TL-H

Modèle de produit	EC3H02BA-TL-H	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3534 pcs	Fiche technique	EC3H02BA-TL-H.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	10V	Transistor Type	NPN
Package composant fournisseur	3-ECSP1006	Séries	-
Puissance - Max	100mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	3-XFDFN	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f)	1dB @ 1GHz	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Gain	8.5dB	Fréquence - Transition	7GHz
Description détaillée	RF Transistor NPN 10V 70mA 7GHz 100mW Surface Mount 3-ECSP1006	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 20mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max)	70mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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