| Modèle de produit | EMA6DXV5T1 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / RoHS non conforme |
| Quantité disponible | 5101 pcs | Fiche technique | EMA6DXV5T1.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | Package composant fournisseur | SOT-553 |
| Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
| Résistance - Base (R1) | 47 kOhms | Puissance - Max | 230mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SOT-553 |
| Autres noms | EMA6DXV5T1OS EMA6DXV5T1OS-ND EMA6DXV5T1OSTR |
Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA | Numéro de pièce de base | MA6 |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
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