EMG2DXV5T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EMG2DXV5T1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Livret des spécifications:	EMG2DXV5T1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3548 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3548 pcs

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Spécifications de EMG2DXV5T1G

Modèle de produit	EMG2DXV5T1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3548 pcs	Fiche technique	EMG2DXV5T1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	SOT-553
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	47 kOhms	Puissance - Max	230mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-553
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA
Numéro de pièce de base	EMG

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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