FCB11N60TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FCB11N60TM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Livret des spécifications:	FCB11N60TM.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	21470 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21470 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.387

10 pcs: $1.238

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Spécifications de FCB11N60TM

Modèle de produit	FCB11N60TM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	21470 pcs	Fiche technique	FCB11N60TM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D²PAK
Séries	SuperFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	FCB11N60TMDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1490pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11A (Tc)
Numéro de pièce de base	FCB11N60

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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