FCB36N60NTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FCB36N60NTM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Livret des spécifications:	FCB36N60NTM.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	25036 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25036 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

800 pcs: $1.444

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Spécifications de FCB36N60NTM

Modèle de produit	FCB36N60NTM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	25036 pcs	Fiche technique	FCB36N60NTM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D²PAK
Séries	SupreMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max)	312W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	FCB36N60NTM-ND FCB36N60NTMTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4785pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	112nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 36A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D²PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	36A (Tc)
Numéro de pièce de base	FCB36N60

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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