FCP110N65F

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FCP110N65F
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Livret des spécifications:	FCP110N65F.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	20911 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 20911 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

800 pcs: $1.468

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Spécifications de FCP110N65F

Modèle de produit	FCP110N65F	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 650V 35A TO220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	20911 pcs	Fiche technique	FCP110N65F.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 3.5mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	FRFET®, SuperFET® II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	357W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4895pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	145nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	650V	Description détaillée	N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	35A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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