FCP190N60-GF102

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FCP190N60-GF102
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Livret des spécifications:	FCP190N60-GF102.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	24160 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24160 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.356

10 pcs: $1.212

100 pcs: $0.994

800 pcs: $0.727

1600 pcs: $0.679

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Spécifications de FCP190N60-GF102

Modèle de produit	FCP190N60-GF102	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V TO-220-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	24160 pcs	Fiche technique	FCP190N60-GF102.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	SuperFET® II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	199 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)	208W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	FCP190N60_GF102 FCP190N60_GF102-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20.2A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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