FDB0630N1507L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDB0630N1507L
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 150V 130A
Livret des spécifications:	FDB0630N1507L.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	24278 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24278 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

800 pcs: $1.372

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Spécifications de FDB0630N1507L

Modèle de produit	FDB0630N1507L	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 150V 130A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	24278 pcs	Fiche technique	FDB0630N1507L.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D²PAK (TO-263)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 300W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Autres noms	FDB0630N1507L-ND FDB0630N1507LTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9895pF @ 75V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	150V
Description détaillée	N-Channel 150V 130A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	130A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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