FDB44N25TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDB44N25TM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Livret des spécifications:	FDB44N25TM.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	28944 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28944 pcs

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1 pcs: $1.177

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Spécifications de FDB44N25TM

Modèle de produit	FDB44N25TM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	28944 pcs	Fiche technique	FDB44N25TM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D²PAK
Séries	UniFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	69 mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (max)	307W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	FDB44N25TMCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2870pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	250V
Description détaillée	N-Channel 250V 44A (Tc) 307W (Tc) Surface Mount D²PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	44A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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