FDB6030BL

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDB6030BL
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
Livret des spécifications:	FDB6030BL.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6570 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6570 pcs

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Spécifications de FDB6030BL

Modèle de produit	FDB6030BL	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6570 pcs	Fiche technique	FDB6030BL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	R-6
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	60W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1160pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 40A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount R-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	40A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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