FDB86102LZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDB86102LZ
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Livret des spécifications:	FDB86102LZ.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	44842 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 44842 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.671

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Spécifications de FDB86102LZ

Modèle de produit	FDB86102LZ	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	44842 pcs	Fiche technique	FDB86102LZ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-263AB
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 8.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	FDB86102LZDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1275pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263AB	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8.3A (Ta), 30A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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