FDB8870

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDB8870
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
Livret des spécifications:	FDB8870.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	84009 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 84009 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de FDB8870

Modèle de produit	FDB8870	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	84009 pcs	Fiche technique	FDB8870.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-263AB
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 35A, 10V
Dissipation de puissance (max)	160W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	FDB8870-ND FDB8870FSTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	132nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263AB	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	23A (Ta), 160A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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