FDC645N_F095

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDC645N_F095
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT
Livret des spécifications:	FDC645N_F095.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3765 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3765 pcs

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Spécifications de FDC645N_F095

Modèle de produit	FDC645N_F095	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3765 pcs	Fiche technique	FDC645N_F095.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SuperSOT™-6
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 6.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.6W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1460pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 4.5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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