FDD068AN03L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDD068AN03L
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
Livret des spécifications:	FDD068AN03L.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5054 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5054 pcs

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Spécifications de FDD068AN03L

Modèle de produit	FDD068AN03L	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5054 pcs	Fiche technique	FDD068AN03L.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-252AA
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 35A, 10V
Dissipation de puissance (max)	80W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2525pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 17A (Ta), 35A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	17A (Ta), 35A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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