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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | FDD10AN06A0-F085 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 56229 pcs | Fiche technique | FDD10AN06A0-F085.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-252AA |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 135W (Tc) | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | FDD10AN06A0-F085CT FDD10AN06A0_F085CT FDD10AN06A0_F085CT-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 11A (Ta) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
