FDD2670

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDD2670
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Livret des spécifications:	FDD2670.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	100451 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 100451 pcs

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Spécifications de FDD2670

Modèle de produit	FDD2670	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	100451 pcs	Fiche technique	FDD2670.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-252
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.2W (Ta), 70W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	FDD2670-ND FDD2670TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1228pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	200V
Description détaillée	N-Channel 200V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.6A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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