FDD3860

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDD3860
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Livret des spécifications:	FDD3860.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	170478 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 170478 pcs

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Spécifications de FDD3860

Modèle de produit	FDD3860	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	170478 pcs	Fiche technique	FDD3860.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D-PAK (TO-252AA)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 5.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 69W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	FDD3860TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1740pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6.2A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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