FDD6680

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDD6680
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Livret des spécifications:	FDD6680.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5532 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5532 pcs

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Spécifications de FDD6680

Modèle de produit	FDD6680	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 12A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5532 pcs	Fiche technique	FDD6680.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D-PAK (TO-252)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.3W (Ta), 56W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1230pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta), 46A (Tc)	Numéro de pièce de base	FDD6680

Mode de transport
Après vente
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