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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | FDFS2P102 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 4587 pcs | Fiche technique | FDFS2P102.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 900mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Autres noms | FDFS2P102_NL FDFS2P102_NLTR FDFS2P102_NLTR-ND FDFS2P102TR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SO | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.3A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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