FDG311N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDG311N
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Livret des spécifications:	FDG311N.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	164160 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 164160 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.204

10 pcs: $0.172

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500 pcs: $0.095

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Spécifications de FDG311N

Modèle de produit	FDG311N	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	164160 pcs	Fiche technique	FDG311N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SC-70-6
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	750mW (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Autres noms	FDG311NCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	N-Channel 20V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.9A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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