FDI045N10A-F102

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDI045N10A-F102
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Livret des spécifications:	FDI045N10A-F102.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	17240 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17240 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.696

10 pcs: $1.515

100 pcs: $1.242

500 pcs: $1.006

1000 pcs: $0.848

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Spécifications de FDI045N10A-F102

Modèle de produit	FDI045N10A-F102	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	17240 pcs	Fiche technique	FDI045N10A-F102.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAK (TO-262)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)	263W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Autres noms	FDI045N10A_F102 FDI045N10A_F102-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5270pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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