FDMA2002NZ_F130

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMA2002NZ_F130
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	INTEGRATED CIRCUIT
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5989 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5989 pcs

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Spécifications de FDMA2002NZ_F130

Modèle de produit	FDMA2002NZ_F130	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	INTEGRATED CIRCUIT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5989 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Package composant fournisseur	6-MicroFET (2x2)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Puissance - Max	650mW	Emballage	Bulk
Package / Boîte	6-VDFN Exposed Pad	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 4.5V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 650mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.9A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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