FDMB668P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMB668P
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
Livret des spécifications:	FDMB668P.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5519 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5519 pcs

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Spécifications de FDMB668P

Modèle de produit	FDMB668P	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5519 pcs	Fiche technique	FDMB668P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1.9W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Autres noms	FDMB668PTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2085pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 6.1A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6.1A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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