FDMC8200S_F106

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMC8200S_F106
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
Livret des spécifications:	FDMC8200S_F106.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5263 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5263 pcs

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Spécifications de FDMC8200S_F106

Modèle de produit	FDMC8200S_F106	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5263 pcs	Fiche technique	FDMC8200S_F106.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-Power33 (3x3)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6A, 10V
Puissance - Max	700mW, 1W	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Autres noms	FDMC8200S_F106DKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6A, 8.5A

Mode de transport
Après vente
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