FDMC8878

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMC8878
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
Livret des spécifications:	FDMC8878.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	59477 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59477 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.488

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Spécifications de FDMC8878

Modèle de produit	FDMC8878	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	59477 pcs	Fiche technique	FDMC8878.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-MLP (3.3x3.3), Power33
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 9.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta), 31W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Autres noms	FDMC8878DKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1230pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3), Power33	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9.6A (Ta), 16.5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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