FDMS1D5N03

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMS1D5N03
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
Livret des spécifications:	FDMS1D5N03.pdf
Etat du stock	36203 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 36203 pcs

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1 pcs: $0.836

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Spécifications de FDMS1D5N03

Modèle de produit	FDMS1D5N03	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	36203 pcs	Fiche technique	FDMS1D5N03.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-PQFN (5x6), Power56
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.15 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	83W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	FDMS1D5N03CT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9690pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 4.5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 218A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	218A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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