FDMS3660S-F121

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMS3660S-F121
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Livret des spécifications:	FDMS3660S-F121.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5169 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5169 pcs

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Spécifications de FDMS3660S-F121

Modèle de produit	FDMS3660S-F121	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5169 pcs	Fiche technique	FDMS3660S-F121.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA	Package composant fournisseur	Power56
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 13A, 10V
Puissance - Max	1W	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	FDMS3660S-F121CT FDMS3660S_F121CT FDMS3660S_F121CT-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1765pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
type de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	13A, 30A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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