FDN028N20

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDN028N20
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3
Livret des spécifications:	FDN028N20.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	186528 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 186528 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.186

10 pcs: $0.156

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Spécifications de FDN028N20

Modèle de produit	FDN028N20	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	186528 pcs	Fiche technique	FDN028N20.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SuperSOT-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1.5W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	FDN028N20OSCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	N-Channel 20V 6.1A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SuperSOT-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6.1A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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