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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | FDN5632N-F085 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 588070 pcs | Fiche technique | 1.FDN5632N-F085.pdf2.FDN5632N-F085.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SuperSOT-3 |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 1.7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Autres noms | FDN5632N-F085TR FDN5632N_F085 FDN5632N_F085TR FDN5632N_F085TR-ND FDN5632NF085 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SuperSOT-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.7A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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