0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | FDP020N06B-F102 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 17207 pcs | Fiche technique | FDP020N06B-F102.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220-3 |
| Séries | PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 333W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 | Autres noms | FDP020N06B FDP020N06B-ND FDP020N06B_F102 FDP020N06B_F102-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 20930pF @ 30V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 268nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
