FDP036N10A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDP036N10A
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Livret des spécifications:	1.FDP036N10A.pdf 2.FDP036N10A.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	21731 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21731 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.64

10 pcs: $1.464

100 pcs: $1.201

800 pcs: $0.878

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Spécifications de FDP036N10A

Modèle de produit	FDP036N10A	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	21731 pcs	Fiche technique	1.FDP036N10A.pdf 2.FDP036N10A.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max)	333W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7295pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	116nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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