FDPF18N20FT-G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDPF18N20FT-G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N CH 200V 18A TO220F
Livret des spécifications:	FDPF18N20FT-G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	41133 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 41133 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.801

10 pcs: $0.722

100 pcs: $0.58

500 pcs: $0.451

1000 pcs: $0.374

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Spécifications de FDPF18N20FT-G

Modèle de produit	FDPF18N20FT-G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N CH 200V 18A TO220F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	41133 pcs	Fiche technique	FDPF18N20FT-G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220F-3
Séries	UniFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)	35W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	FDPF18N20FT_G FDPF18N20FT_G-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	200V
Description détaillée	N-Channel 200V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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