FDPF39N20TLDTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDPF39N20TLDTU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 39A TO220F
Livret des spécifications:	FDPF39N20TLDTU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	52592 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52592 pcs

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Spécifications de FDPF39N20TLDTU

Modèle de produit	FDPF39N20TLDTU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 200V 39A TO220F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	52592 pcs	Fiche technique	FDPF39N20TLDTU.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220F
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 19.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	37W (Tc)	Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2130pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	200V
Description détaillée	N-Channel 200V 39A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220F	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	39A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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