FDS3912

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDS3912
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Livret des spécifications:	FDS3912.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4055 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4055 pcs

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Spécifications de FDS3912

Modèle de produit	FDS3912	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4055 pcs	Fiche technique	FDS3912.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 3A, 10V
Puissance - Max	900mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	632pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 900mW Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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