FDS6299S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDS6299S
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Livret des spécifications:	FDS6299S.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2735 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2735 pcs

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Spécifications de FDS6299S

Modèle de produit	FDS6299S	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2735 pcs	Fiche technique	FDS6299S.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 21A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3880pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 21A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	21A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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