FDS6609A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDS6609A
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Livret des spécifications:	FDS6609A.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5710 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5710 pcs

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Spécifications de FDS6609A

Modèle de produit	FDS6609A	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5710 pcs	Fiche technique	FDS6609A.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	P-Channel 30V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6.3A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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