FDS6892A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDS6892A
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Livret des spécifications:	FDS6892A.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	201148 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 201148 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

2500 pcs: $0.159

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Spécifications de FDS6892A

Modèle de produit	FDS6892A	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	201148 pcs	Fiche technique	FDS6892A.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Puissance - Max	900mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	FDS6892A-ND FDS6892ATR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1333pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7.5A

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Après vente
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