FDS6912A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDS6912A
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Livret des spécifications:	FDS6912A.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	286318 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 286318 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de FDS6912A

Modèle de produit	FDS6912A	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	286318 pcs	Fiche technique	FDS6912A.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6A, 10V
Puissance - Max	900mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	FDS6912ATR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 5V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6A

Mode de transport
Après vente
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