FDS8333C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDS8333C
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Livret des spécifications:	FDS8333C.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4009 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4009 pcs

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Spécifications de FDS8333C

Modèle de produit	FDS8333C	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4009 pcs	Fiche technique	FDS8333C.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 4.1A, 10V
Puissance - Max	900mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	282pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 4.5V	type de FET	N and P-Channel
Fonction FET	Logic Level Gate	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.1A, 3.4A

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Après vente
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