FDS8958A-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDS8958A-F085
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Livret des spécifications:	FDS8958A-F085.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	124036 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 124036 pcs

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Spécifications de FDS8958A-F085

Modèle de produit	FDS8958A-F085	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	124036 pcs	Fiche technique	FDS8958A-F085.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 7A, 10V
Puissance - Max	900mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	FDS8958A-F085TR FDS8958A_F085 FDS8958A_F085TR FDS8958A_F085TR-ND FDS8958AF085
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
type de FET	N and P-Channel	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A, 5A

Mode de transport
Après vente
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